Comité

Comité:

CTN 209/SC 47 - Dispositivos de semiconductores

Secretaría:
UNE - ASOCIACIÓN ESPAÑOLA DE NORMALIZACIÓN
Relaciones Internacionales:

IEC/TC 47  Dispositivos de semiconductores

CLC/TC 47X 

Normas elaboradas por el comité: CTN 209/SC 47: 305

UNE-EN 60749-27:2006/A1:2012 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2013-01-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 27: Ensayo de la sensibilidad de la descarga electrostática. Modelo máquina (HBM) (Ratificada por AENOR en enero de 2013.)

UNE-EN 62132-8:2012 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2012-11-01

Circuitos integrados. Medición de la inmunidad electromagnética. Parte 8: Medición de la inmunidad radiada. Método de la línea TEM de placas con circuito integrado (IC) (Ratificada por AENOR en noviembre de 2012.)

UNE-EN 60747-15:2012 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2012-06-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 15: Dispositivos de potencia de semiconductores aislados (Ratificada por AENOR en junio de 2012.)

UNE-EN 62047-13:2012 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2012-06-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos micro-electromecánicos. Parte 13: Métodos de medición del ensayo tipo de resistencia adhesiva al curvado y cizallamiento para estructuras MEMS (Ratificada por AENOR en junio de 2012.)

UNE-EN 62047-14:2012 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2012-06-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de los materiales de película metálica. (Ratificada por AENOR en junio de 2012.)

UNE-EN 62047-9:2011 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2012-06-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos micro-electromecánicos. Parte 9: Medida de la resistencia de la unión oblea a oblea para NEMS. (Ratificada por AENOR en junio de 2012.)

UNE-EN 62047-12:2011 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2012-02-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos micro-electromecánicos. Parte 12: Método de ensayo de fatiga al doblado de materiales de película fina utilizando vibración resonante de las estructuras MEMS. (Ratificada por AENOR en febrero de 2012.)

UNE-EN 61967-8:2011 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2012-01-01

Circuitos integrados. Mediciones de las emisiones electromagnéticas de 150 kHz a 1 GHz. Parte 8: Medición de las emisiones radiadas. Método IC de líneas TEM de placas. (Ratificada por AENOR en enero de 2012.)

UNE-EN 60749-23:2005/A1:2011

Estado: VIGENTE  /  2011-12-21

Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida de funcionamiento a alta temperatura.

UNE-EN 60749-7:2011 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2011-12-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 7: Medición del contenido de humedad interna y análisis de otros gases residuales. (Ratificada por AENOR en diciembre de 2011.)

UNE-EN 62047-10:2011 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2011-12-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos micro-electromecánicos. Parte 10: Ensayo de compresión de los micropilares en materiales MEMS. (Ratificada por AENOR en diciembre de 2011.)

UNE-EN 60749-29:2011 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2011-11-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 29: Ensayo de enclavamiento. (Ratificada por AENOR en noviembre de 2011.)

UNE-EN 60749-40:2011 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2011-11-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 40: Método de ensayo de caída al nivel de la plataforma mediante la utilización de galgas extensométricas (Ratificada por AENOR en noviembre de 2011.)

UNE-EN 62047-5:2011 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2011-11-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos micro-electromecánicos. Parte 5: Interruptores RF MEMS. (Ratificada por AENOR en noviembre de 2011.)

UNE-EN 62047-7:2011 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2011-11-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos micro-electromecánicos. Parte 7: Filtro y duplexor MEMS BAW para el control y la selección de radiofrecuencias. (Ratificada por AENOR en noviembre de 2011.)

UNE-EN 60749-21:2011 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2011-11-01

Dispositivos semiconductores. Ensayos mecánicos y climáticos. Parte 21: Soldabilidad. (Ratificada por AENOR en noviembre de 2011.)

UNE-EN 60191-6-12:2011 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2011-11-01

Normalización mecánica de dispositivos de semiconductores. Parte 6-12: Reglas generales para la preparación de los diseños de los paquetes de dispositivos de semiconductores de montaje en superficie. Guía de diseño de rejilla matricial de nodos de paso fino (FLGA). (Ratificada por AENOR en noviembre de 2011.)

UNE-EN 62047-8:2011 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2011-09-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos micro-electromecánicos. Parte 8: Métodos de ensayo de curvado en banda la medida de propiedades de tensión de las películas finas(Ratificada por AENOR en septiembre de 2011.)

UNE-EN 60191-6-17:2011 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2011-09-01

Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6-17: Reglas generales para la preparación de los diseños de los paquetes de dispositivos semiconductores de montaje en superficie. Guía de diseño para paquetes en pila. Matriz de rejilla de bola de paso fino y matriz de rejilla de nodo de paso fino (P-PFBGA and P-PFLGA) (Ratificada por AENOR en septiembre de 2011.)

UNE-EN 60749-34:2011

Estado: VIGENTE  /  2011-07-20

Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 34: Ciclo de potencia.

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