Comité

Comité:

CTN 209/SC 47 - Dispositivos de semiconductores

Secretaría:
UNE - ASOCIACIÓN ESPAÑOLA DE NORMALIZACIÓN
Relaciones Internacionales:

IEC/TC 47  Dispositivos de semiconductores

CLC/TC 47X 

Normas elaboradas por el comité: CTN 209/SC 47: 299

UNE-EN 62415:2010 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2010-09-01

Dispositivos de semiconductores. Ensayo de electromigración de intensidad constante. (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)

UNE-EN 62416:2010 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2010-09-01

Dispositivos de semiconductores. Ensayo de portadora caliente en transistores MOS (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)

UNE-EN 62417:2010 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2010-09-01

Dispositivos semiconductores. Ensayos de iones móviles para transistores de semiconductores de óxido metálico de efecto de campo (MOSFET) (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)

UNE-EN 60191-6-19:2010 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2010-09-01

Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6-19: Métodos de medida de deformación (warpage) de paquete a temperatura elevada y la deformación (warpage) máxima permisible (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)

UNE-EN 62047-6:2010 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2010-06-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos micro-electromecánicos. Parte 4: Métodos de ensayo de la fatiga axial de los materiales de película. (Ratificada por AENOR en junio de 2010.)

UNE-EN 60191-6-18:2010 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2010-05-01

Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6-18: Reglas generales para la preparación de los diseños de los paquetes de dispositivos semiconductores de montaje en superficie. Guía de diseño de rejilla matricial de bolas (BGA). (Ratificada por AENOR en mayo de 2010.)

UNE-EN 60191-6:2009 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2010-04-01

Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6: Reglas generales para la preparación de los diseños de los paquetes de dispositivos semiconductores de montaje en superficie. (Ratificada por AENOR en abril de 2010.)

UNE-EN 60749-20-1:2009 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2009-09-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 20-1: Manejo, empaquetado, etiquetado y transporte de los dispositivos con montaje en superficie que son sensibles a los efectos combinados de la humedad y al calentamiento de soldado. (Ratificada por AENOR en septiembre de 2009.)

UNE-EN 60747-16-3:2002/A1:2009 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2009-07-01

Dispositivos semiconductores. Parte 16-3: Circuitos impresos de microondas. Convertidores de frecuencia. (Ratificada por AENOR en julio de 2009.)

UNE-EN 61967-6:2002/A1:2008 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2008-09-01

Circuitos integrados. Mediciones de las emisiones electromagnéticas de 150 kHz a 1 GHz. Parte 6: Mediciones de emisiones conducidas. Método de sonda magnética. (Ratificada por AENOR en septiembre de 2008.)

UNE-EN 60749-38:2008 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2008-09-01

Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 38: Método de ensayo del error transitorio para dispositivos semiconductores con memoria. (Ratificada por AENOR en septiembre de 2008.)

UNE-EN 60749-37:2008 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2008-07-01

Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 37: Método de ensayo de caida a nivel de tarjeta para componentes usando un acelerómetro. (Ratificada por AENOR en julio de 2008.)

UNE-EN 60191-6-16:2007 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2007-10-01

Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6-16: Glosario de ensayo de semiconductor y quemado de soporte para BGA, LGA, FBGA y FLGA. (IEC 60191-6-16:2007). (Ratificada por AENOR en octubre de 2007.)

UNE-EN 60747-16-1:2002/A1:2007 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2007-05-01

Dispositivos semiconductores. Parte 16-1: Circuitos impresos de microondas. Amplificadores. (IEC 60747-16-1:2001/A1:2007). (Ratificada por AENOR en mayo de 2007.)

UNE-EN 60749-35:2006 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2007-01-01

Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 35: Microscopía acústica para componentes electrónicos encapsulados en plástico (IEC 60749-35:2006) (Ratificada por AENOR en enero de 2007.)

UNE-EN 62047-2:2006 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2007-01-01

Dispositivos semiconductores. Parte 2: Dispositivos micro-electromecánicos. Métodos de ensayo de tensión de materiales de película fina (IEC 62047-2:2006). (Ratificada por AENOR en enero de 2007.)

UNE-EN 62047-3:2006 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2007-01-01

Dispositivos semiconductores. Parte 3: Dispositivos micro-electromecánicos. Pieza de ensayo patrón de película fina para ensayo de tensión (IEC 62047-3:2006) (Ratificada por AENOR en enero de 2007.)

UNE-EN 62373:2006 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2006-11-01

Ensayo de estabilidad a temperatura Bias para óxido metálico, semiconductores, transistores de efecto de campo (IEC 62373:2006) (Ratificada por AENOR en noviembre de 2006).

UNE-EN 60749-27:2006 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2006-11-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 27: Ensayo de la sensibilidad de la descarga electrostática. Modelo máquina (HBM) (IEC 60749-27:2006)(Ratificada por AENOR en noviembre de 2006.)

UNE-EN 62132-4:2006 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2006-08-01

Circuitos integrados. Medida de la inmunidad electromagnética desde 150 kHz a 1 GHz. Parte 4: Método de inyección de potencia directa de radiofrecuencia (IEC 62132-4:2006) (Ratificada por AENOR en agosto de 2006)

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