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Comité

Comité:

CTN 209/SC 47 - Dispositivos de semiconductores

Secretaría:
UNE - ASOCIACIÓN ESPAÑOLA DE NORMALIZACIÓN
Relaciones Internacionales:

IEC/TC 47  Dispositivos de semiconductores

CLC/TC 47X 

Normas elaboradas por el comité: CTN 209/SC 47: 305

UNE-EN 62435-2:2017 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2017-06-01

Componentes electrónicos. Almacenamiento a largo plazo de dispositivos electrónicos semiconductores. Parte 2: Mecanismos de deterioro (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en junio de 2017.)

UNE-EN 62435-5:2017 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2017-05-01

Componentes electrónicos. Almacenamiento a largo plazo de dispositivos electrónicos semiconductores. Parte 5: Dispositivos de oblea y bloques de material semiconductor (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en mayo de 2017.)

UNE-EN 62228-2:2017 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2017-03-01

Circuitos integrados. Evaluación de compatibilidad electromagnética (CEM) de los transmisores. Parte 2: Transmisores LIN (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en marzo de 2017.)

UNE-EN 62047-25:2016 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2017-01-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 25: Tecnología de fabricación de MEMS basados en silicio. Método de medida de la resistencia al cizallamiento y al desprendimiento del área de micro unión. (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en enero de 2017.)

UNE-EN 60191-6-13:2016 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2017-01-01

Normalización mecánica de dispositivos de semiconductores. Parte 6-13: Guía de diseño para la apertura en la parte superior tipo socket de FBGA y FLGA (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en enero de 2017.)

UNE-EN 60749-44:2016 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2016-12-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 44: Método de ensayo por efecto de evento único (SEE) mediante haz de neutrones irradiados para dispositivos semiconductores. (Ratificada por AENOR en diciembre de 2016.)

UNE-EN 62047-1:2016 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2016-05-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos micro-electromecánicos. Parte 1: Términos y definiciones (Ratificada por AENOR en mayo de 2016.)

UNE-EN 62047-16:2015 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2015-08-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 16: Métodos de ensayo para determinar la tensión residual de películas MEMS. Métodos de curvatura de la oblea y de deflexión del haz (Ratificada por AENOR en agosto de 2015.)

UNE-EN 62047-17:2015 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2015-08-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 17: Método de ensayo de bulto para medir las propiedades mecánicas de las películas finas (Ratificada por AENOR en agosto de 2015.)

UNE-EN 60749-42:2014 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2014-11-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 42: Almacenamiento en temperatura y humedad (Ratificada por AENOR en noviembre de 2014.)

UNE-EN 62047-20:2014 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2014-11-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos micro-electromecánicos. Parte 20: Giróscopos (Ratificada por AENOR en noviembre de 2014.)

UNE-EN 62047-21:2014 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2014-11-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos micro-electromecánicos. Parte 21: Método de ensayo para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada (Ratificada por AENOR en noviembre de 2014.)

UNE-EN 62047-22:2014 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2014-11-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos micro-electromecánicos. Parte 22: Métodos de ensayo de tensión electromecánica para películas delgadas conductoras sobre sustratos flexibles (Ratificada por AENOR en noviembre de 2014.)

UNE-EN 60191-4:2014 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2014-05-01

Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 4: Sistema de codificación y clasificación para los tipos y formas de los encapsulados de dispositivos semiconductores. (Ratificada por AENOR en mayo de 2014.)

UNE-EN 62215-3:2013 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2013-11-01

Circuitos integrados. Medida de la inmunidad del impulso. Parte 3: Método de inyección transitoria no sincronizada. (Ratificada por AENOR en noviembre de 2013.)

UNE-EN 62047-11:2013 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2013-11-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 11: Método de ensayo para coeficientes de expansión térmica lineales de materiales MEMS independientes (Ratificada por AENOR en noviembre de 2013.)

UNE-EN 62047-18:2013 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2013-11-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos micro-electromecánicos. Parte 18: Métodos de ensayo de doblado para materiales de película fina. (Ratificada por AENOR en noviembre de 2013.)

UNE-EN 62047-19:2013 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2013-11-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 19: Brújulas electrónicas. (Ratificada por AENOR en noviembre de 2013.)

UNE-EN 60747-16-5:2013 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2013-10-01

Dispositivos de semiconductores. Parte 16-5: Circuitos integrados de microondas. Osciladores. (Ratificada por AENOR en octubre de 2013.)

UNE-EN 60191-6-22:2013 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2013-04-01

Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6-22: Reglas generales para la preparación de los diseños de los paquetes de dispositivos semiconductores de montaje en superficie. Guía de diseño para paquetes de semiconductores de matriz de rejilla de bolas de paso fino de silicio y matriz de rejilla de tierra de paso fino de silicio (S-FBGA y S-FLGA). (Ratificada por AENOR en abril de 2013.)

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