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Norma
UNE-EN 62373:2006 (Ratificada)

UNE-EN 62373:2006 (Ratificada)

Ensayo de estabilidad a temperatura Bias para óxido metálico, semiconductores, transistores de efecto de campo (IEC 62373:2006) (Ratificada por AENOR en noviembre de 2006).

Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) (IEC 62373:2006). (Endorsed by AENOR in November of 2006.)

Essai de stabilité de température en polarisation pour transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) (CEI 62373:2006). (Entérinée par l’AENOR en novembre 2006.)

Fecha ratificación:
2006-11-01
Equivalencias internacionales:

EN 62373:2006 (Idéntico)

IEC 62373:2006 (Idéntico)

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