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Norma
IEC 60749-26:2018

IEC 60749-26:2018

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 26: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Human body model (HBM)

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 26: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle du corps humain (HBM)

Fecha:
2018-01-15 /Vigente
Resumen (inglés):
IEC 60749-26:2018 establishes the procedure for testing, evaluating, and classifying components and microcircuits according to their susceptibility (sensitivity) to damage or degradation by exposure to a defined human body model (HBM) electrostatic discharge (ESD).
The purpose of this document is to establish a test method that will replicate HBM failures and provide reliable, repeatable HBM ESD test results from tester to tester, regardless of component type. Repeatable data will allow accurate classifications and comparisons of HBM ESD sensitivity levels.
ESD testing of semiconductor devices is selected from this test method, the machine model (MM) test method (see IEC 60749-27) or other ESD test methods in the IEC 60749 series. Unless otherwise specified, this test method is the one selected.
This fourth edition cancels and replaces the third edition published in 2013. This edition constitutes a technical revision. This standard is based upon ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2014. It is used with permission of the copyright holders, ESD Association and JEDEC Solid state Technology Association.
This edition includes the following significant technical changes with respect to the previous edition:
a) a new subclause relating to HBM stressing with a low parasitic simulator is added, together with a test to determine if an HBM simulator is a low parasitic simulator;
b) a new subclause is added for cloned non-supply pins and a new annex is added for testing cloned non-supply pins.

Resumen (francés):
L'IEC 60749-26:2018 établit une procédure pour les essais, l'évaluation et la classification des composants et des microcircuits en fonction de leur susceptibilité (sensibilité) aux dommages ou de leur dégradation à la suite de leur exposition à des décharges électrostatiques (DES) sur un modèle de corps humain (HBM) défini.
Le but du présent document est de déterminer une méthode d'essai permettant de reproduire les défaillances du HBM et de fournir des résultats d'essais de DES de HBM fiables et reproductibles d'un appareil d'essai à un autre, sans tenir compte du type de composant. Des données reproductibles autoriseront des classifications et des comparaisons précises des niveaux de sensibilité de DES de HBM.
Les essais de DES des dispositifs à semiconducteurs sont choisis entre la présente méthode d'essai, celle du modèle de machine (MM) (voir IEC 60749-27) ou toute autre méthode d'essai de la série IEC 60749. Sauf indication contraire, la présente méthode d'essai est celle qui prévaut.
Cette quatrième édition annule et remplace la troisième édition parue en 2013. Cette édition constitue une révision technique. La présente norme se base sur l'ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2014. Elle est utilisée avec l'autorisation des détenteurs des droits d'auteur, ESD Association et JEDEC Solid state Technology Association.
Cette édition inclut les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l'édition précédente:
a) un nouveau paragraphe sur la contrainte de HBM avec un simulateur à faibles parasites est ajouté, ainsi qu'un essai visant à déterminer si un simulateur de HBM est un simulateur à faibles parasites;
b) un nouvel article est ajouté pour les broches clonées n'assurant pas l'alimentation et une nouvelle annexe est ajoutée pour les essais des broches clonées n'assurant pas l'alimentation.

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