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Norma
IEC 60747-8:2010

IEC 60747-8:2010

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs descrets - Partie 8: Transistors à effet de champ

Fecha:
2010-12-15 /Vigente
Resumen (inglés):
IEC 60747-8:2010 gives standards for the following categories of field-effect transistors:
- type A: junction-gate type;
- type B: insulated-gate depletion (normally on) type;
- type C: insulated-gate enhancement (normally off) type.
The main changes with respect to the previous edition are listed below.
a) "Clause 3 Classification" was moved and added to Clause 1.
b) "Clause 4 Terminology and letter symbols" was divided into "Clause 3 Terms and definitions" and "Clause 4 Letter symbols" was amended with additions and deletions.
c) Clause 5, 6 and 7 were amended with necessary additions and deletions.

This publication is to be read in conjunction with IEC 60747-1:2006.
Resumen (francés):
La CEI 60747-8:2010 donne les normes pour les catégories suivantes de transistors à effets de champ:
- type A: type à jonction de grille;
- type B: type à grille isolée à déplétion (appauvrissement) (normalement à l'état passant);
- type C: type à grille isolée à enrichissement (normalement à l'état bloqué).
Les principaux changements par rapport à l'édition précédente sont énumérés ci-dessous.
a) L'Article 3 "Classification" a été déplacé et ajouté à l'Article 1.
b) L'Article 4 "Terminologie et symboles littéraux" a été divisé en Article 3 "Termes et définitions" et Article 4 "Symboles littéraux", ce dernier a été amendé avec des additions et des suppressions.
c) Les Articles 5, 6 et 7 ont été amendés avec les nécessaires additions et suppressions.

Cette publication doit être lue conjointement avec la CEI 60747-1:2006.

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