Saltar navegación principal
Estás en: Home>Encuentra tu norma>Busca tu norma

Para búsqueda de normas ISO e IEC, utilizar términos en inglés

Estado
Idioma
Busca tu norma

Busca tu norma


Resultados para:

Número de resultados: 10

UNE-EN 62373:2006  UNE

Estado: Vigente / 2006-11-01

Ensayo de estabilidad a temperatura Bias para óxido metálico, semiconductores, transistores de efecto de campo (IEC 62373:2006) (Ratificada por AENOR en noviembre de 2006).

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 150003:1991  UNE

Estado: Vigente / 1996-11-01

Especificación marco de detalle: Características nominales del encapsulado de los transistores bipolares para amplificación de baja frecuencia. (Ratificada por AENOR en noviembre de 1996.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 150004:1991  UNE

Estado: Vigente / 1996-11-01

Especificación marco de detalle: Transistores bipolares para ser empleados como interruptor. (Ratificada por AENOR en noviembre de 1996.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 150007:1991  UNE

Estado: Vigente / 1996-11-01

Especificación marco de detalle: Características nominales del encapsulado de los transistores bipolares para amplificación de alta frecuencia. (Ratificada por AENOR en noviembre de 1996.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 150012:1991  UNE

Estado: Vigente / 1996-11-01

Especificación marco de detalle: Transistor de efecto de campo (FET) de puerta simple. (Ratificada por AENOR en noviembre de 1996.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 120003:1992  UNE

Estado: Vigente / 1996-09-01

Especificación marco particular: Fototransistores, fototransistores darlington, matrices de fototransistores. (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

UNE-EN 120004:1992  UNE

Estado: Vigente / 1996-09-01

Especificación marco particular: Características nominales ambientales de los fotoacopladores con salida de fototransistores. (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

PNE-prEN IEC 63275-1:2021  PROY

Estado: Tramitación

Dispositivos semiconductores. Método de ensayo de fiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 1: Método de ensayo para la inestabilidad de la temperatura de polarización.

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

PNE-prEN IEC 63275-2:2021  PROY

Estado: Tramitación

Dispositivos semiconductores. Método de ensayo de fiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 2: Método de ensayo para la degradación bipolar debido al funcionamiento del diodo incorporado

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

PNE-prEN IEC 63284:2021  PROY

Estado: Tramitación

Dispositivos semiconductores. Método de ensayo de fiabilidad mediante conmutación de carga inductiva para transistores de nitruro de galio

CTN 209/SC 47 DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES

Número de resultados: 10

​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​