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UNE-EN 62373:2006  UNE

Estado: Vigente / 2006-11-01

Ensayo de estabilidad a temperatura Bias para óxido metálico, semiconductores, transistores de efecto de campo (IEC 62373:2006) (Ratificada por AENOR en noviembre de 2006).

UNE-EN 120003:1992  UNE

Estado: Anulada / 2024-04-25

Especificación marco particular: Fototransistores, fototransistores darlington, matrices de fototransistores. (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)

UNE-EN 120004:1992  UNE

Estado: Anulada / 2024-04-25

Especificación marco particular: Características nominales ambientales de los fotoacopladores con salida de fototransistores. (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)

UNE-EN 150004:1991  UNE

Estado: Anulada / 2022-11-24

Especificación marco de detalle: Transistores bipolares para ser empleados como interruptor. (Ratificada por AENOR en noviembre de 1996.)

UNE-EN 150007:1991  UNE

Estado: Anulada / 2022-11-24

Especificación marco de detalle: Características nominales del encapsulado de los transistores bipolares para amplificación de alta frecuencia. (Ratificada por AENOR en noviembre de 1996.)

UNE-EN 150003:1991  UNE

Estado: Anulada / 2022-11-24

Especificación marco de detalle: Características nominales del encapsulado de los transistores bipolares para amplificación de baja frecuencia. (Ratificada por AENOR en noviembre de 1996.)

UNE-EN 150012:1991  UNE

Estado: Anulada / 2022-11-24

Especificación marco de detalle: Transistor de efecto de campo (FET) de puerta simple. (Ratificada por AENOR en noviembre de 1996.)