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Comité

Comité:

CTN 209/SC 47 - Dispositivos de semiconductores

Secretaría:
UNE - ASOCIACIÓN ESPAÑOLA DE NORMALIZACIÓN
Relaciones Internacionales:

IEC/TC 47  Dispositivos de semiconductores

CLC/TC 47X 

Normas elaboradas por el comité: CTN 209/SC 47: 299

UNE-EN 62047-21:2014 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2014-11-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos micro-electromecánicos. Parte 21: Método de ensayo para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada (Ratificada por AENOR en noviembre de 2014.)

UNE-EN 62047-22:2014 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2014-11-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos micro-electromecánicos. Parte 22: Métodos de ensayo de tensión electromecánica para películas delgadas conductoras sobre sustratos flexibles (Ratificada por AENOR en noviembre de 2014.)

UNE-EN 60191-4:2014 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2014-05-01

Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 4: Sistema de codificación y clasificación para los tipos y formas de los encapsulados de dispositivos semiconductores. (Ratificada por AENOR en mayo de 2014.)

UNE-EN 62215-3:2013 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2013-11-01

Circuitos integrados. Medida de la inmunidad del impulso. Parte 3: Método de inyección transitoria no sincronizada. (Ratificada por AENOR en noviembre de 2013.)

UNE-EN 62047-11:2013 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2013-11-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 11: Método de ensayo para coeficientes de expansión térmica lineales de materiales MEMS independientes (Ratificada por AENOR en noviembre de 2013.)

UNE-EN 62047-18:2013 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2013-11-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos micro-electromecánicos. Parte 18: Métodos de ensayo de doblado para materiales de película fina. (Ratificada por AENOR en noviembre de 2013.)

UNE-EN 62047-19:2013 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2013-11-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 19: Brújulas electrónicas. (Ratificada por AENOR en noviembre de 2013.)

UNE-EN 60747-16-5:2013 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2013-10-01

Dispositivos de semiconductores. Parte 16-5: Circuitos integrados de microondas. Osciladores. (Ratificada por AENOR en octubre de 2013.)

UNE-EN 60191-6-22:2013 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2013-04-01

Normalización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 6-22: Reglas generales para la preparación de los diseños de los paquetes de dispositivos semiconductores de montaje en superficie. Guía de diseño para paquetes de semiconductores de matriz de rejilla de bolas de paso fino de silicio y matriz de rejilla de tierra de paso fino de silicio (S-FBGA y S-FLGA). (Ratificada por AENOR en abril de 2013.)

UNE-EN 60749-27:2006/A1:2012 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2013-01-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 27: Ensayo de la sensibilidad de la descarga electrostática. Modelo máquina (HBM) (Ratificada por AENOR en enero de 2013.)

UNE-EN 62132-8:2012 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2012-11-01

Circuitos integrados. Medición de la inmunidad electromagnética. Parte 8: Medición de la inmunidad radiada. Método de la línea TEM de placas con circuito integrado (IC) (Ratificada por AENOR en noviembre de 2012.)

UNE-EN 60747-15:2012 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2012-06-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 15: Dispositivos de potencia de semiconductores aislados (Ratificada por AENOR en junio de 2012.)

UNE-EN 62047-13:2012 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2012-06-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos micro-electromecánicos. Parte 13: Métodos de medición del ensayo tipo de resistencia adhesiva al curvado y cizallamiento para estructuras MEMS (Ratificada por AENOR en junio de 2012.)

UNE-EN 62047-14:2012 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2012-06-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de los materiales de película metálica. (Ratificada por AENOR en junio de 2012.)

UNE-EN 62047-9:2011 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2012-06-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos micro-electromecánicos. Parte 9: Medida de la resistencia de la unión oblea a oblea para NEMS. (Ratificada por AENOR en junio de 2012.)

UNE-EN 62047-12:2011 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2012-02-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos micro-electromecánicos. Parte 12: Método de ensayo de fatiga al doblado de materiales de película fina utilizando vibración resonante de las estructuras MEMS. (Ratificada por AENOR en febrero de 2012.)

UNE-EN 61967-8:2011 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2012-01-01

Circuitos integrados. Mediciones de las emisiones electromagnéticas de 150 kHz a 1 GHz. Parte 8: Medición de las emisiones radiadas. Método IC de líneas TEM de placas. (Ratificada por AENOR en enero de 2012.)

UNE-EN 60749-23:2005/A1:2011

Estado: VIGENTE  /  2011-12-21

Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida de funcionamiento a alta temperatura.

UNE-EN 60749-7:2011 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2011-12-01

Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 7: Medición del contenido de humedad interna y análisis de otros gases residuales. (Ratificada por AENOR en diciembre de 2011.)

UNE-EN 62047-10:2011 (Ratificada)

Estado: VIGENTE  /  2011-12-01

Dispositivos semiconductores. Dispositivos micro-electromecánicos. Parte 10: Ensayo de compresión de los micropilares en materiales MEMS. (Ratificada por AENOR en diciembre de 2011.)

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